4. 1. 1. Depth profiling radiation induced defect concentration in DEMO structural materials using Pulsed Low Energy Positron System (PLEPS) - II; WP-MAT Positron annihilation study of vacancy type defects induced by He ion implantation in selected ODS FS

Dátum:

Dátum zverejnenia:03.04.2013
Dátum začatia:26.03.2013
Dátum ukončenia:neuvedený

Identifikácia projektu:

Prijímateľ:Slovenská technická univerzita v Bratislave
IČO prijímateľa:00397687
Miesto realizácie:Bratislava
Poskytovateľ:
Typ poskytnutej pomoci:nenávratná
CRP ID:#12727

Cenové plnenie:

Výška pomoci: 0,00 €

Zmluvy:

Zverejnené Názov zmluvy / č. zmluvy Cena Dodávateľ Objednávateľ
ZMLUVA O POSKYTNUTÍ PROSTRIEDKOV č. DO7RP-0005-12
DO7RP-0005-12
0,00 € Slovenská technická univerzita v Bratislave Agentúra na podporu výskumu a vývoja
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x