4. 1. 1. Depth profiling radiation induced defect concentration in DEMO structural materials using Pulsed Low Energy Positron System (PLEPS) - II; WP-MAT Positron annihilation study of vacancy type defects induced by He ion implantation in selected ODS FS
Dátum:
Dátum zverejnenia: | 03.04.2013 |
Dátum začatia: | 26.03.2013 |
Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
Prijímateľ: | Slovenská technická univerzita v Bratislave |
IČO prijímateľa: | 00397687 |
Miesto realizácie: | Bratislava |
Poskytovateľ: | |
Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
CRP ID: | #12727 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 0,00 €
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x