4. 1. 1. Depth profiling radiation induced defect concentration in DEMO structural materials using Pulsed Low Energy Positron System (PLEPS) - II; WP-MAT Positron annihilation study of vacancy type defects induced by He ion implantation in selected ODS FS
Dátum:
| Dátum zverejnenia: | 03.04.2013 |
|---|---|
| Dátum začatia: | 26.03.2013 |
| Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
| Prijímateľ: | Slovenská technická univerzita v Bratislave |
|---|---|
| IČO prijímateľa: | 00397687 |
| Miesto realizácie: | Bratislava |
| Poskytovateľ: | |
| Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
| CRP ID: | #12727 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 0,00 €
Zmluvy:
| Zverejnené | Názov zmluvy / č. zmluvy | Cena | Dodávateľ | Objednávateľ |
|---|---|---|---|---|
| ZMLUVA O POSKYTNUTÍ PROSTRIEDKOV č. DO7RP-0005-12 DO7RP-0005-12 |
0,00 € | Slovenská technická univerzita v Bratislave | Agentúra na podporu výskumu a vývoja |
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x