MOCVD heteroepitaxia a analýza porúch tenkých vrstiev Ga2O3 pre pokročilé detektory UV-C žiarenia
Dátum:
| Dátum zverejnenia: | 01.10.2026 |
|---|---|
| Dátum začatia: | 01.07.2026 |
| Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
| Prijímateľ: | Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. |
|---|---|
| IČO prijímateľa: | 00598429 |
| Miesto realizácie: | Bratislava |
| Poskytovateľ: | Agentúra na podporu na výskumu a vývoja |
| Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
| CRP ID: | #222061 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 9 940,00 €
Zmluvy:
| Zverejnené | Názov zmluvy / č. zmluvy | Cena | Dodávateľ | Objednávateľ |
|---|---|---|---|---|
| ZMLUVA O POSKYTNUTÍ PROSTRIEDKOV č. SK-UA-25-0079 SK-UA-25-0079 |
9 940,00 € | Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. | Agentúra na podporu výskumu a vývoja |
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x